Halbleiter, Optoelektronik und FAB
HALBLEITER, OPTOELEKTRONIK UND FAB
Selbstorganisierte, nadelartige Nano-Strukturen und ihre Herstellung auf Silizium
Mithilfe eines RIE-Ätzverfahrens für Silizium (3) wird ohne jegliche zusätzliche Strukturierungsmaßnahme (e-beam, Interferenzlithographie, o.a.) durch Auswahl der Gasanteile des Ätzplasmas in einer Selbstorganisation eine kristallfehlerfreie, nadelförmige Struktur (4,4a) mit großem Aspektverhältnis und mit Nanodimensionen auf der Oberfläche von Siliziumscheiben erzeugt. Eine breitbandige Entspiegelung wird erreicht, die eine vielfältige Verwendung finden kann.
